CMOS、CMOS 工藝發(fā)表時(shí)間：2022-07-27 14:58 Complementary Metal Oxide Semiconductor（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）的縮寫，由N-MOS 和P-MOS 器件構(gòu)成的一類芯片，其多晶硅柵極結(jié)構(gòu)有助于降低器件的閾值電壓，從而在低電壓下運(yùn)行，是制造大規(guī)模集成電路芯片使用的一種器件結(jié)構(gòu) 下一篇良率
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CMOS、CMOS 工藝發(fā)表時(shí)間：2022-07-27 14:58 Complementary Metal Oxide Semiconductor（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）的縮寫，由N-MOS 和P-MOS 器件構(gòu)成的一類芯片，其多晶硅柵極結(jié)構(gòu)有助于降低器件的閾值電壓，從而在低電壓下運(yùn)行，是制造大規(guī)模集成電路芯片使用的一種器件結(jié)構(gòu) 下一篇良率
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